硅單晶材料在受到外力作用產生微小應變時(一般步于400微應變)，其內部原子結構的電子能級狀態(tài)會發(fā)生變化，從而導致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學特性，在同一切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關部件，使之輸出一個標準信號，就組成了一臺完整的擴散硅壓力變送器。

概述

2088系列擴散硅壓力變送器采用具有技術進口傳感器，再配以高電子元件，經嚴格要求的工藝過程裝配而成。它與使用的常規(guī)壓力變送器相比。有兩個顯著不同的技術差別：一是測量元件采用新興的高陶瓷材料；二是測量元件內無中介液體，是固體的。

SC308系列擴散硅壓力變送器壓力變送器具有工作可靠、性能穩(wěn)定、安裝使用方便、體積小、重量輕、性能價格比高等點，能在各種正負壓力測量中得到廣泛應用。采用進口擴散硅或陶瓷芯體作為壓力檢測元件，傳感器信號經高性能電子放大器轉換成0-10mA或4-20mA統(tǒng)一輸出信號。可替代傳統(tǒng)的遠傳變送器，霍爾元件、差動變送器，而且具備DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型變送器性能。能與各種型號的動圈式指示儀、數(shù)字變送器、電子電位差計配套使用，也能與各種自動調節(jié)系統(tǒng)或計算機系統(tǒng)配套使用。

工作原理

被測介質的壓力直接作用于傳感器的膜片上，使膜片產生與介質壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉換輸出一個對應于這一壓力的標準測量信號。

單晶硅壓力變送器技術指標
精度等級：0.25級基本誤差值±0.25%
非線性誤差值：0.3級≤±0.3%FS
滯后誤差值： ≤±0.3%FS
輸出特性：
①0-10mA輸出，負載電阻0-1.5KΩ
②4-20mA輸出，負載電阻0-600Ω
③恒流輸出內阻大于10MΩ
④二線制4-20mA輸出：標準供電DC24V
防爆標志：（RPT-Ⅲ）：Exia Ⅱ CT4-6

選型表